P-GaN退火对GaN基LED外延材料及器件性能影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体技术飞速发展的时代，GaN基LED凭借其独特的优势，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。氮化镓（GaN）作为一种宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度达3.39eV，与AlN、InN等氮化物的带隙在1.9-6.2eV之间可调节，这赋予了GaN基LED卓越的物理和化学性质。其具有六方晶格结构，这一结构特点使其在光电器件应用中表现出独特的性能。

在照明领域，GaN基LED以其高效节能、长寿命等优点，正逐渐取代传统照明光源，成为照明行业的主流技术。