超低能等离子体浸没注入：原理剖析与集成电路工艺应用的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，集成电路作为电子信息产业的核心基础，其性能的提升对于推动整个信息技术领域的进步起着至关重要的作用。随着信息技术的不断演进，人们对集成电路的性能提出了越来越高的要求，这也促使集成电路工艺持续向着更高性能、更小尺寸的方向发展。

摩尔定律自提出以来，一直引领着集成电路技术的发展方向。在过去的几十年里，集成电路的特征尺寸不断缩小，晶体管的集成度以惊人的速度提高。这一发展趋势使得芯片的性能得到了极大提升，同时成本也不断降低。然而，随着特征尺寸逐渐逼近物理极限，传统的集成电路工艺面临着