高压大功率压接型IGBT器件多芯片并联特性的深度剖析与优化策略

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代电力系统中，高压大功率压接型IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）器件作为核心部件，发挥着不可替代的重要作用。IGBT器件结合了双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）的低导通电阻和绝缘栅场效应晶体管（InsulatedGateFieldEffectTransistor，IGFET）的高输入阻抗特性，具有高电压承受能力、大电流处理能力、低导通压降以及快速开关速度等优点，使其在众多领域