基本信息
文件名称：半导体复习试题附答案.docx
文件大小：27.45 KB
总页数：14 页
更新时间：2025-11-17
总字数：约6.45千字
文档摘要
半导体复习试题附答案
一、选择题（每题2分，共20分）
1.本征半导体中，载流子的主要产生方式是（）
A.杂质电离B.晶格振动激发C.表面态跃迁D.光子吸收
答案：B
2.对于n型半导体，费米能级（Ef）与本征费米能级（Ei）的关系为（）
A.EfEiB.Ef=EiC.EfEiD.无关
答案：A
3.半导体中载流子迁移率的主要影响因素不包括（）
A.温度B.掺杂浓度C.载流子类型D.禁带宽度
答案：D
4.PN结反向偏置时，空间电荷区的宽度会（）
A.变宽B.变窄C.不