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文档摘要

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准分子激光辐照对氮化镓外延片性能改性的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氮化镓（GaN）外延片凭借其卓越的物理特性，已然成为支撑现代科技发展的关键基石，在众多核心领域发挥着不可替代的作用。氮化镓外延片的禁带宽度高达3.4电子伏特，这一数值是传统硅材料的数倍，赋予了它在高温、高频环境下稳定工作的能力，为其在5G通信、新能源汽车、航空航天等前沿领域的应用奠定了坚实基础。在5G通信基站中，氮化镓基射频器件能够实现更高的频率、更大的带宽以及更低的能耗，极大地提升了信号传输的速度与质量，推动5G技术的广泛普及。在新能源汽车的电力控制系统里，氮化镓功率器