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文件名称:干涉光刻法:任意图形微纳结构制备及SERS应用的深度探究.docx
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总页数:24 页
更新时间:2025-11-18
总字数:约3.13万字
文档摘要

干涉光刻法:任意图形微纳结构制备及SERS应用的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代,微纳结构制备技术与表面增强拉曼散射(SERS)技术已成为科研和工业领域的关键技术,对推动众多领域的发展具有不可忽视的作用。

微纳结构是指特征尺寸在微米和纳米量级的结构,因其独特的物理、化学和生物学特性,在诸多领域展现出卓越的应用潜力。在半导体制造领域,微纳结构的精确制备是实现芯片高性能、小型化和多功能化的核心。随着集成电路技术的不断演进,对微纳结构的精度和复杂度要求日益严苛,如在7纳米及以下制程的芯片制造中,需要制备出纳米级别的晶体管和电路互联结构,这对微纳结构制备技术提出