基本信息
文件名称：《CMOS模拟集成电路设计——理论、方法与工程实现》 蔺智挺教材 课后习题解答.pdf
文件大小：1.3 MB
总页数：151 页
更新时间：2025-11-18
总字数：约27.63万字
文档摘要
第二章
习题2.1：
请描述MOS器件的工作原理。
解答：
MOS器件有4个端口，分别为源极、漏极、栅极和衬底
三种工作模式(以NMOS为例)
①截止区：VV时，沟道未形成，MOS关闭，无电流流过。
GSTH
②线性区（三极管区）：V≥V，V≤V?V,沟道形成并可导电，MOS表现为电阻性导通。
GSTHDSGSTH
③饱和区：V≥V，VV?V时，沟道在漏端逐渐耗尽，MOSF