超声喷雾热解法：高品质ZnO纳米薄膜制备、掺杂与生长机理的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料的广阔领域中，ZnO纳米薄膜凭借其独特而优异的性能，正逐渐崭露头角，成为研究的焦点之一。ZnO作为一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度达到3.37eV，激子结合能更是高达60meV，远大于室温热能（26meV）。这一特性使得激子在室温下能够稳定存在，为其在光电器件中的应用奠定了坚实基础。

从晶体结构来看，ZnO通常呈现六边纤锌矿结构，这种结构赋予了它诸多特殊的物理性质。在晶体中，每个锌或氧原子都与相邻原子组成以其为中心的正四面体结构，使得ZnO具备了