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文件名称:2025《忆阻器的发展研究国内外文献综述》2100字.docx
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更新时间:2025-11-19
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忆阻器的发展研究国内外文献综述

传统忆阻器的功能层通常使用金属氧化物材料、二维材料等半导体或绝缘体材料,金属氧化物材料、二维材料这种无机材料占据着忆阻器的主体地位,具有速度快、稳定性好等优点。[23]但是随着忆阻器在人工神经网络中的应用逐渐兴起,有机生物材料也逐渐走入了人们的视野,研究人员尝试使用有机生物材料作为忆阻器的功能层。

1基于金属氧化物材料的忆阻器研究现状

金属氧化物是一种应用于忆阻器的常见材料之一,是目前研究最广泛、最深入的忆阻器功能层材料,其中大部分使用的过渡金属的氧化物,例如Mg、Ti、Cr、Ni、Zn、Hf、Ta等金属的氧化物材料。目前,对基