氮化镓纳米薄膜声子与热学性能中表面/界面效应的深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今电子器件飞速发展的时代，氮化镓（GaN）纳米薄膜作为一种极具潜力的半导体材料，在众多领域展现出了独特的优势，成为了研究的焦点。氮化镓具有宽直接带隙（室温下约为3.4eV）、高临界击穿电场、高电子迁移率和高饱和漂移速度等优异特性，使其在高温、高频、高功率电子器件以及光电器件等领域具有广泛的应用前景。在5G通信基站的功率放大器中，氮化镓器件凭借其高电子迁移率和高击穿电场，能够提供更高的输出功率和效率，满足新一代通信技术对高频、大功率器件的需求；在电动汽车的充电器中，氮化镓功率器件的高效率使得充电