原子层沉积技术构筑新型非易失性存储器及其存储性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代信息技术飞速发展的背景下，电子设备正朝着小型化、高性能化、低功耗化的方向迅猛迈进。新型非易失性存储器作为电子设备的核心部件，在数据存储领域发挥着举足轻重的作用，已然成为推动电子信息技术持续进步的关键要素。传统的易失性存储器，如动态随机存取存储器（DRAM），虽然具备快速读写的特性，但存在断电数据丢失的严重缺陷，这在很大程度上限制了其在一些对数据持久性要求极高的应用场景中的使用。例如，在服务器存储系统中，一旦发生断电，DRAM中的数据便会瞬间丢失，这可能导致关键业务的中断以及重要数据的永久性损失