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文件名称:非理想界面对压电半导体层状壳体结构静态响应的影响.pdf
文件大小:3.92 MB
总页数:95 页
更新时间:2025-11-20
总字数:约35.09万字
文档摘要
摘要
摘要
随着科技的进步,航天、医疗、能源等领域均使用性能更优异的压电半导
体器件以完成产品性能迭代。区别于传统材料孤立的研究单个物理场,压电半
PS
导体()材料因其特殊的多场耦合效应,可以深入研究力、电、热、载流子
各场间的相互作用,为传感器、能量收集器等新型智能材料器件的研发提供理
论支撑。由于非理想界面的影响,当结构从宏观尺寸缩小至纳米尺寸时,压电
半导体结构静态多物理场出现显著变化。这将对