2025及未来5年中国红外发射二极管市场数据分析及竞争策略研究报告

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TOC\o1-3\h\z\u18768摘要 3

10096一、红外发射二极管底层物理机制与材料体系演进路径 5

70901.1窄带隙半导体材料的载流子注入效率与光子发射波长调控原理 5

22321.2AlGaAs/GaAs异质结构界面缺陷对辐射复合速率的影响机制 7

172051.3新型InGaN基近红外LED的晶格失配抑制技术突破 9

12866二、中国红外发射器件制造工艺瓶颈与国际代差解构 12

245782.1MOCVD外延生长均匀性控制精度与海外头部厂商参数对