半导体或芯片岗位招聘面试题及回答建议(某大型国企)2025年

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在14nmFinFET工艺中，栅极长度缩短至20nm以下时，为抑制短沟道效应，下列哪项工艺改进最直接有效？

A.提高衬底掺杂浓度

B.引入高κ金属栅

C.降低源漏结深

D.采用应变硅技术

【答案】B

【解析】高κ金属栅可在保持等效氧化层厚度（EOT）不变的前提下显著降低栅漏电流，同时提升栅控能力，是FinFET抑制短沟道效应的核心手段。

2.某DRAM阵列采用1T1C结构，单元电容为25fF，位线电容为180fF，若读出放大器最小可分辨电压为15