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半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答2025年

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在28nmCMOS工艺中，若栅氧厚度为1.2nm，介电常数κ=3.9，则单位面积栅氧电容Cox最接近

A.1.7fF/μm2

B.2.9fF/μm2

C.4.1fF/μm2

D.5.3fF/μm2

【答案】B

【解析】Cox=ε?·κ/tox=8.854×10?12F/m×3.9/1.2×10??m≈28.8mF/m2=2.88fF/μm2。

2.某FinFET器件的亚阈值摆幅S=65mV/dec，若要求关断电流降低两个数量级