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文件名称:半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案2025年.docx
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总页数:16 页
更新时间:2025-11-21
总字数:约5.78千字
文档摘要
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案2025年
一、单项选择题(每题2分,共30分)
1.在CMOS反相器直流特性曲线中,当输入电压等于输出电压时,该点电压称为
A.阈值电压
B.翻转电压
C.逻辑摆幅中点
D.亚阈值斜率点
参考答案:B
2.28nm工艺中,栅氧厚度约1.2nm,若采用HKMG结构,其等效氧化层厚度(EOT)主要受哪一层介电常数影响最大
A.SiO?界面层
B.HfO?高k层
C.TiN金属栅
D.多晶硅耗尽层
参考答案:B
3.FinFET结构中,鳍片(Fin)宽度W_fin缩小至8nm时,最易出现的短沟道