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文件名称:柔性AlGaInP - LED微阵列器件:设计创新与制作技术的深度剖析.docx
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更新时间:2025-11-21
总字数:约1.84万字
文档摘要

柔性AlGaInP-LED微阵列器件:设计创新与制作技术的深度剖析

一、绪论

1.1研究背景与意义

发光二极管(LightEmittingDiode,LED)技术自诞生以来,历经了漫长而辉煌的发展历程。1907年,HenryJosephRound首次在碳化硅中观察到电致发光现象,尽管当时发出的黄光较为暗淡,不具备实际应用价值,但这一发现为LED技术的发展埋下了种子。此后,经过众多科研人员的不懈努力,LED技术逐渐取得突破。20世纪60年代,第一个具有现代意义的LED诞生,最初其仅能发出红外光,并迅速在感应与光电领域得到应用。随着材料科学和工艺技术的不断进步