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文件名称：氮化硅陶瓷基板的制备及表面金属化研究.pdf
文件大小：7.01 MB
总页数：86 页
更新时间：2025-11-21
总字数：约12.63万字
文档摘要

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近年来，随着人工智能、新能源汽车、航空航天等领域的迅猛发展，以IGBT、

CPUGPU

、等为代表的电子芯片及封装技术对轻量化、模块化、集成化、高可

靠及低成本提出了更高要求。氮化硅(SiN)陶瓷基板因其高热导率、低介电常数、

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Si

无毒以及热膨胀系数与单