AIN生长条件对Si衬底上外延GaN薄膜的影响：机理与优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能脱颖而出，成为了当前研究的焦点之一。GaN是一种宽带隙半导体材料，其禁带宽度约为3.4电子伏特，拥有高电子迁移率、高饱和漂移速度以及出色的耐高温性能等一系列优异特性。这些特性使得GaN在众多领域展现出巨大的应用潜力，如在光电子器件领域，基于GaN的发光二极管（LED）能够实现高效的发光，被广泛应用于照明、显示等方面；在功率电子器件领域，GaN器件具有导通电阻低、开关速度快的优势，可有效降低能源损耗，在电动汽车、智能电网等领