基本信息
文件名称：微电子工艺课件总结.pptx
文件大小：4.62 MB
总页数：79 页
更新时间：2025-11-24
总字数：约2.6千字
文档摘要
课程总结;前言拉单晶;ComparisonoftheSemiconductors;Cleanroomclassifications
USFEDSTD209Ecleanroomstandards;DopingintheSiliconGrowthProcess;EffectiveSegregationCoefficient;ControllingtheUniformityoftheDoping;硅、锗晶片易沿{111}面解理，{110)面是第二解理面，常常用于划片。划硅片时应该与硅片解理面平行，也就是与硅片主平边平行或垂直，避免破碎。;氧化;Thegr