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文件名称:透明氧化锌半导体:工艺、特性及应用的深度剖析.docx
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总页数:24 页
更新时间:2025-11-25
总字数:约3.05万字
文档摘要

透明氧化锌半导体:工艺、特性及应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展,透明半导体材料在现代光电子学领域中占据着日益重要的地位。氧化锌(ZnO)作为一种典型的透明半导体材料,凭借其独特的物理性质和多样化的应用前景,吸引了众多科研人员的广泛关注。ZnO属于II-VI族化合物半导体,具有六方纤锌矿结构,室温下的禁带宽度约为3.37eV,激子结合能高达60meV。这种特殊的能带结构赋予了ZnO许多优异的性能,使其在光电子学、太阳能电池、显示器和传感器等多个关键领域展现出巨大的应用潜力。

在光电子学领域,基于ZnO的紫外发光二极管(UV-LED)利用其宽