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文件名称:二维二硫化钼_PTCDA异质结:制备工艺与荧光性能的深度剖析.docx
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总页数:22 页
更新时间:2025-11-25
总字数:约1.92万字
文档摘要
二维二硫化钼/PTCDA异质结:制备工艺与荧光性能的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今材料科学领域,二维材料以其独特的原子结构和优异的物理化学性质,展现出了巨大的应用潜力,成为了研究的焦点。自2004年石墨烯被成功分离以来,二维材料的研究取得了迅猛的发展,众多新型二维材料如二硫化钼(MoS_2)、氮化硼(BN)、黑磷等相继被发现和研究。这些二维材料在电子学、能源、催化、传感器等领域展现出了广阔的应用前景,为解决传统材料面临的诸多问题提供了新的途径。
二硫化钼作为一种典型的过渡金属硫化物二维材料,具有独特的层状结构和丰富的物理化学性质。其基本结构由硫-钼-硫(S-