基本信息

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文档摘要

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深能级元素掺杂补偿硅材料的制备工艺与热敏特性研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电子产品已经深度融入人们生活的方方面面，其小型化、高效化和高速化的发展趋势愈发显著。从智能手机、平板电脑到各类智能穿戴设备，从高性能计算机到先进的通信基站，电子产品正向着体积更小、性能更强、运行速度更快的方向不断演进。然而，这一发展过程也带来了一个严峻的问题——散热难题。随着电子器件的集成度不断提高，单位面积内的功率密度大幅增加，在电路和器件的运行过程中，由于电流和功率的动态变化，会不可避免地产生大量热量。若这些热量无法及时有效地散发出去，将会导致器件温度急剧升高，进而对电路及器件