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文件名称:电力电子仿真:电力电子基础理论_(5).MOSFET与IGBT特性及应用.docx
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更新时间:2025-11-28
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文档摘要
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MOSFET与IGBT特性及应用
MOSFET特性
基本结构与工作原理
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种常见的电力电子器件,广泛应用于开关电源、电机驱动等场合。MOSFET的基本结构包括源极(Source)、栅极(Gate)、漏极(Drain)和体极(Body),通常体极与源极连接在一起。MOSFET的工作原理基于栅极电压对沟道的控制,从而实现对电流的开关控制。
MOSFET分为N沟道和P沟道两种类型。N沟道MOSFET在栅极电压高于阈值电压时导通,P沟道MOSFET在栅极电压低于阈值电压时导通。MOSFET的导通状态和截止状态可以