PAGE1

PAGE1

MOSFET和IGBT的工作原理

MOSFET的基本结构和工作原理

基本结构

MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电力电子器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场合。MOSFET的基本结构由四个主要部分组成：源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和体极（Body）。

源极（Source）：源极是电流的输入端，通常与体极连接。

漏极（Drain）：漏极是电流的输出端。

栅极（Gate）：栅极是控制电流的端口，