光学浮区法：β-Ga?O?单晶生长的关键技术与性能剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体材料作为电子产业的基石，始终是科研领域的研究热点。从第一代半导体材料硅（Si）、锗（Ge），到第二代化合物半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到第三代宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），每一次半导体材料的革新，都推动了电子器件性能的巨大飞跃，进而引发了相关产业的深刻变革。如今，第四代半导体材料崭露头角，其中β-Ga?O?单晶凭借其独特的物理性质和卓越的性能，在半导体领域中占据了重要地位，成为了科研人员研究的重点对象。

β-Ga?O?是氧