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文件名称:Ga掺杂ZnO柔性透明导电薄膜:制备工艺、附着性能与应用前景的深度剖析.docx
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更新时间:2025-11-28
总字数:约2.84万字
文档摘要

Ga掺杂ZnO柔性透明导电薄膜:制备工艺、附着性能与应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代光电器件不断向轻薄化、柔性化和可穿戴方向发展,柔性透明导电薄膜作为关键材料,在诸多领域展现出了极为广阔的应用前景。传统的刚性透明导电薄膜,如氧化铟锡(ITO)薄膜,虽具有良好的光电性能,但因其铟资源稀缺、成本高昂以及脆性较大,在柔性光电器件中的应用受到极大限制。因此,开发新型、高性能且低成本的柔性透明导电薄膜成为材料科学领域的研究热点。

氧化锌(ZnO)作为一种II-VI族直接带隙(3.3eV)半导体氧化物,具备丰富的原材料储备、价格低廉以及在活性氢和氢等离子体环境下稳定