一维ZnO@ZnS核壳结构纳米材料的制备工艺与性能关联探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体材料研究领域，一维ZnO@ZnS核壳结构纳米材料凭借其独特的物理化学性质，占据着极为重要的地位。氧化锌（ZnO）作为第三代半导体材料的典型代表，拥有3.37eV的大直接带隙禁带宽度以及高达60meV的激子束缚能，这赋予了它优异的紫外光电性能，在紫外发光器件、光催化、传感器等众多光电子学领域展现出巨大的应用潜力。硫化锌（ZnS）同样是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料，其禁带宽度约为3.68eV，在短波长光发射器件、荧光显示等方面有着广泛的应用前景。

将ZnO