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文件名称:非晶IGZO薄膜晶体管背沟道表面修饰:工艺、性能与应用的深度解析.docx
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更新时间:2025-11-28
总字数:约2.08万字
文档摘要

非晶IGZO薄膜晶体管背沟道表面修饰:工艺、性能与应用的深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的背景下,薄膜晶体管(ThinFilmTransistors,TFTs)作为构建各类电子器件的关键基础元件,其性能优劣对整个电子系统的表现起着决定性作用。非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZOTFT),作为新一代薄膜晶体管的杰出代表,凭借其卓越的性能优势,在显示技术、传感器、集成电路等众多领域展现出巨大的应用潜力,已然成为学术界和产业界共同关注的焦点。

在显示技术领域,a-IGZOTFT的出现掀起了一场技术革新的浪潮。随着人们对显示设备的要求日益提升,如