载流子存储型沟槽栅双极型晶体管耐压特性的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，随着各类电气设备对高效能、高可靠性以及小型化的需求不断增长，功率半导体器件扮演着愈发关键的角色。载流子存储型沟槽栅双极型晶体管（CarrierStoredTrenchBipolarTransistor，CSTBT）作为一种先进的功率半导体器件，融合了沟槽栅结构和载流子存储技术的优势，在中高压、大功率应用场景中展现出独特的性能特点，成为了电力电子领域的研究热点之一。

CSTBT通过在特定区域引入载流子存储层，有效增强了器件导通时的电导调制效应，降低了导通压降，同时结合沟槽栅