磁控溅射法制备SiAlON/SiC膜及其性能的多维度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学不断发展的进程中，新型复合薄膜材料因其独特性能和广泛应用潜力，成为研究热点。SiAlON/SiC膜作为一种极具前景的复合薄膜材料，结合了SiAlON和SiC的优异特性，在半导体、机械加工、航空航天等众多领域展现出巨大的应用价值。

SiC作为一种重要的化合物半导体材料，拥有较大的禁带宽度，通常在3.0-3.3eV之间，这一特性使得它能够在高温、高压和高频环境下稳定工作。其高热导率可达490-670W/（m?K），相比传统半导体材料优势显著，如硅的热导率仅为148W/