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文件名称:CVD辅助固 - 固界面生长金属有机框架材料的制备与应用研究.docx
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总页数:14 页
更新时间:2025-11-30
总字数:约1.84万字
文档摘要
CVD辅助固-固界面生长金属有机框架材料的制备与应用研究
一、引言
1.1研究背景与意义
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)技术作为材料合成领域的关键技术之一,在过去几十年中取得了长足的发展。该技术通过气态的原子或分子在固体表面发生化学反应并沉积,从而制备出具有特定结构和性能的材料薄膜或涂层。CVD技术具有诸多显著优势,如能够在复杂形状的基底上实现均匀沉积,可精确控制沉积层的化学成分和微观结构,能够制备出高纯度、高质量的材料等。这些优势使得CVD技术在半导体、光学、航空航天等众多领域得到了广泛应用,例如在半导体制造中用于制备集成电路的绝缘层