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文档摘要

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4H-SiC肖特基结紫外探测器：性能剖析与可靠性探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体器件在各个领域的应用日益广泛，对其性能和可靠性也提出了更高的要求。传统的硅基半导体器件由于材料特性的限制，在面对高温、高压、高频以及恶劣环境等应用场景时，逐渐难以满足需求。宽禁带半导体材料因其独特的物理性质，成为了近年来研究的热点，为解决上述问题提供了新的途径。

宽禁带半导体材料，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度大等显著优势。这些优势使得基于宽禁带半导体材料的器件在高温、高压、高频以及抗辐射等方面展现出卓越的性