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文件名称:CdSiP2晶体中缺陷与光学性质关系的第一性原理深度剖析.docx
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总页数:16 页
更新时间:2025-11-30
总字数:约2.16万字
文档摘要
CdSiP2晶体中缺陷与光学性质关系的第一性原理深度剖析
一、绪论
1.1研究背景与意义
随着现代科技的飞速发展,非线性光学材料在激光技术、光通信、光学传感等众多领域发挥着举足轻重的作用。其中,CdSiP2晶体作为一种极具潜力的红外非线性光学材料,凭借其独特的性能优势,吸引了众多科研工作者的目光。
CdSiP2晶体具备宽红外透过范围,从0.5μm至9μm,这使其在红外波段的光传输和频率转换等应用中表现出色;其非线性光学系数大,高达d36=84.5pm/V,相比其他同类晶体,如ZnGeP2、AgGaS2、AgGaSe2等,具有更强的非线性光学效应,能更高效地实现激光频率