探索POSS/GO协同改性对聚酰亚胺复合薄膜介电及综合性能的影响

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电子设备正朝着小型化、高速化和高性能化的方向迈进，这对材料的性能提出了愈发严苛的要求。低介电常数材料因其能够有效降低信号传输过程中的能量损耗、提高信号传输速度以及增强电子器件的集成度，在微电子、通信等众多关键领域中扮演着举足轻重的角色，成为了研究的焦点和热点。

聚酰亚胺（PI）作为一类高性能的聚合物材料，凭借其优异的热稳定性、机械性能、化学稳定性以及良好的电绝缘性，在航空航天、电子信息等领域得到了广泛的应用。然而，传统聚酰亚胺的介电常数相对较高，难以满足当前电子器件对低