PECVD法制备ZnOSi薄膜的结构与性能研究：工艺、特性与应用.docx

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更新时间：2025-12-02

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文档摘要

PECVD法制备ZnOSi薄膜的结构与性能研究：工艺、特性与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料在各个领域的应用愈发广泛，其中ZnO半导体材料以其独特的性能在光电领域展现出巨大的潜力。ZnO是一种具有纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于室温热离化能（2.6meV）。这一特性使得ZnO在理论上能够在室温下实现紫外光的受激发射，为短波长光电子器件的发展提供了新的契机，有望在发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、紫外探测器等光电器件中发挥重要作用。