基本信息

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文档摘要

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会计实操文库1/5;会计实操文库2/5

-硅片切割不研磨：单晶硅棒切割成厚度[X]μm的硅片，经研磨（双面抛光）至表面粗糙度Ra≤[X]nm，清洗去除杂质。;会计实操文库3/5

-以光刻胶为掩膜，通过干法刻蚀（等离子体刻蚀）或湿法刻蚀（化学溶液）去除未被覆盖的SiO?或硅材料，形成沟槽、通孔等结构，控制刻蚀深度（偏差≤[X]nm）及侧壁垂直度。

2.5掺杂工艺

-通过离子注入（如注入硼、磷离子）或扩散法，在硅片特定区域掺入杂质，改变导电性，形成PN结、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）等，控制掺杂浓度（[X]-[X]atoms/cm3