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文件名称:AlN掺杂SiC陶瓷的无压烧结行为与热导率调控机制研究.docx
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更新时间:2025-12-03
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文档摘要

AlN掺杂SiC陶瓷的无压烧结行为与热导率调控机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

碳化硅(SiC)陶瓷作为一种重要的结构陶瓷材料,具有众多优异的性能。其基本结构单元是相互穿插的SiC和CSi四面体,这些四面体共边形成平面层并通过顶点与下一叠层四面体相连,构成独特的三维结构。这种结构赋予SiC陶瓷高硬度,其莫氏硬度通常在9.5以上,仅次于金刚石,使其在耐磨、耐刮擦方面表现出色;具有良好的高温性能,熔点超过2700℃,在高温下仍能保持良好的机械强度和尺寸稳定性,工作温度可达1600-1700℃;还具备高强度、抗氧化性、抗腐蚀性、热传导能力、弱导电性和低摩擦系数等特