电弧等离子体法制备纳米晶体SiC与TiO2及其光催化性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学不断演进的当下，纳米晶体凭借其独特的量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应，成为研究的焦点。纳米晶体碳化硅（SiC）和二氧化钛（TiO?）作为其中的典型代表，展现出极为优异的性能，在众多领域拥有广泛的应用前景，对现代科技的发展起着关键作用。

SiC作为第三代半导体材料，具备宽带隙、高临界击穿电场、高热导率以及高载流子饱和漂移速度等特性。这些特性使其在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等领域展现出巨大的应用潜力，例如可用于制造高频、大功率、抗辐射、耐高温的半导体器件及长波发光二极管等。