基于原子层沉积的HfO2薄膜特性及其在1D1R器件中的阻变行为探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的迅猛发展，人们对电子产品的性能要求日益提高，这促使半导体器件不断向高性能、低功耗、小型化方向发展。作为现代信息技术的核心支撑，半导体器件的性能直接影响着各类电子产品的运行效率和功能实现。在众多半导体器件中，存储器是不可或缺的关键组成部分，其性能的优劣对于整个系统的运行起着至关重要的作用。阻变存储器（RRAM）作为一种极具潜力的新型非易失性存储器，因其具有结构简单、存储密度高、读写速度快、低功耗等显著优势，成为了学术界和工业界研究的热点。它有望解决传统存储器面临的诸如浮栅耦合、电荷