金属与锗接触特性的深度剖析：肖特基与欧姆接触的工艺及性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体器件中，金属与半导体的接触是构建高性能电子设备的基础环节，其中金属与锗的接触尤为关键。锗（Ge）作为一种重要的半导体材料，凭借其独特的物理性质，如高电子迁移率和高空穴迁移率，在半导体领域展现出重要的应用价值。在高温、高频等特殊环境下，锗能够展现出比传统硅材料更优异的性能，这使得它成为制造高性能晶体管、集成电路等电子器件的理想选择。

金属与锗的接触方式主要包括肖特基接触和欧姆接触，二者在半导体器件中发挥着截然不同但又至关重要的作用。肖特基接触是金属和半导体之间的非平衡接触，与p-n结相