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文档摘要

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大功率微波下PIN二极管损伤特性的仿真与洞察

1.绪论

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，半导体科学技术的进步极大地推动了新型器件的发展与应用。然而，随着电子电路集成度不断提高，其对电磁脉冲和大功率微波的损伤效应敏感程度也日益增加。在工业应用中，像微波源这类大功率电子系统会持续产生大功率的微波泄漏。这些泄漏的微波能量能够通过传输线耦合进系统内部，对电路上的半导体器件造成干扰和损坏。例如，在一些通信基站中，大功率微波的泄漏可能导致基站内的半导体器件工作异常，影响通信质量。

PIN二极管由于具有反向击穿电压高、可承受功率高、可靠性和稳定性良好等优点，在军用和民用领域都得到了广泛