基于溅射法的Si片基ZnO薄膜及其光电器件的制备与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，ZnO薄膜作为一种关键的半导体材料，因其卓越的性能而备受瞩目。ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这一特性使得ZnO在短波长光电器件的制备中展现出显著优势，例如紫外发光二极管（UV-LED）和紫外激光器等。相较于传统发光材料，基于ZnO薄膜的光电器件具有响应速度快、发光效率高、稳定性好等突出优点，能够很好地满足现代光电子技术对高性能器件的严格需求。在光通信领域，ZnO基UV-LED可用于