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文件名称:分子束外延生长高质量稀磁半导体(Ga,Mn)Sb薄膜及其异质结构的研究.docx
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更新时间:2025-12-04
总字数:约4.4万字
文档摘要

分子束外延生长高质量稀磁半导体(Ga,Mn)Sb薄膜及其异质结构的研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展,对半导体材料和器件的性能要求日益提高。稀磁半导体(DilutedMagneticSemiconductors,DMS)作为一种新型的半导体材料,由于其同时具备半导体的电学特性和磁性材料的磁学特性,在自旋电子学、量子信息等领域展现出了巨大的应用潜力,成为了材料科学和凝聚态物理领域的研究热点。

稀磁半导体是通过将磁性离子(如3d族过渡金属离子或4f族稀土金属离子)引入到传统半导体晶格中而形成的。这种独特的材料体系中,磁性离子与半导体中的载流子之间存在着强烈