锂氮共掺杂p型氧化锌基薄膜的制备工艺与发光器性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今光电器件领域，氧化锌（ZnO）基薄膜凭借其独特的性能优势，成为了研究的焦点之一。ZnO是一种直接带隙宽禁带（3.37eV）的II-VI族化合物半导体材料，拥有较大的激子束缚能（60meV），具备优良的压电、光电、气敏、压敏等性质，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、表面声波元件以及低压压敏电阻器等方面展现出广泛的应用前景。

然而，氧化锌本身为n型半导体，要实现其在光电器件中的全面应用，如制备高性能的发光二极管（LED）、激光二极管（LD）以及高效的