新型忆阻器模型构建、电路实现及在混沌电路中的创新应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子学领域，忆阻器作为一种具有独特记忆特性的新型电子元件，自1971年由华人科学家蔡少棠提出概念以来，引发了科学界和工程界的广泛关注。忆阻器能够根据通过的电荷量或磁通量来记忆其电阻状态，即使在断电后仍能保持该状态，这种非易失性的记忆特性使其在众多领域展现出巨大的应用潜力，被视为与电阻器、电容器和电感器同等重要的第四种基本电路元件。

随着科技的飞速发展，对高性能、低功耗电子设备的需求日益迫切。忆阻器因其独特的物理特性，为解决传统电子器件面临的挑战提供了新的途径。在数据存储方面，基于忆阻器的存储