拓扑绝缘体Bi?Se?薄膜：制备、表征与电输运性质的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

拓扑绝缘体作为一种新型量子材料，在过去十几年中受到了科学界的广泛关注。与传统材料不同，拓扑绝缘体的内部表现为绝缘态，而其表面或边缘则存在着受拓扑保护的导电态。这些表面态具有独特的性质，例如自旋-动量锁定特性，即电子的自旋方向与动量方向紧密关联，这种特性使得拓扑绝缘体在自旋电子学、量子计算等领域展现出巨大的应用潜力，有望成为实现无能耗电子器件的关键材料体系。

Bi?Se?薄膜作为典型的拓扑绝缘体材料，具有诸多优异特性。它的体能带结构在费米能处存在能隙，呈现绝缘特性，然而其表面却存在着穿越能隙的狄拉