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文件名称:硅衬底GaN基LED转移前后性能演变及机理探究.docx
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更新时间:2025-12-06
总字数:约2.27万字
文档摘要

硅衬底GaN基LED转移前后性能演变及机理探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体照明领域,氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)凭借其卓越的性能优势,成为了照明、显示、通信、生物医学等众多领域的关键技术。其具有高亮度、高效率、长寿命等显著优点,有效推动了照明行业从传统光源向半导体照明的变革。在照明领域,GaN基LED实现了高效节能的照明效果,相比传统的白炽灯和荧光灯,能大幅降低能源消耗,符合全球节能减排的发展趋势。在显示领域,其助力实现了高分辨率、高对比度和广色域的显示效果,为消费者带来了更优质的视觉体验,如在电视、手机等显示屏中的应用。

在通信领域,基于GaN基LED