基本信息
文件名称:GB/T 46717-2025半导体器件 金属化空洞应力试验.pdf
文件大小:287.08 KB
总页数:4 页
更新时间:2025-12-06
总字数:约6.46千字
文档摘要
ICS31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT467172025IEC624182010
半导体器件金属化空洞应力试验
—
SemiconductordevicesMetallizationstressvoidtest
(:,)
IEC624182010IDT
2025-10-31发布2026-05-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT467172025IEC624182010
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4试验设备…………………1
5测试结构…………………1
5.1测试结构图形………………………1
5.2线形图形……………1
5.3通孔链图形…………………………1
6应力温度…………………2
7程序………………………2
7.1空洞应力评估方法……………………2
7.2电阻测量法…………………………2
7.3外观检查法…………………………3
8失效判据…………………3
8.1电阻测量法…………………………3
8.2外观检查法…………………………3
()……………
9数据分析及寿命外推仅用于电阻测量法3
10规定条件和报告…………………………5
10.1电阻测量法…………………………5
10.2外观检查法…………………………6
()………