不同衬底上β-Ga?O?外延薄膜的制备工艺与性能差异研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子技术中扮演着至关重要的角色。从日常使用的电子设备到高端的航空航天领域，半导体器件的性能直接影响着整个系统的运行效率和功能实现。在众多半导体材料中，β-Ga?O?作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，因其独特的物理性质和潜在的应用价值，近年来受到了广泛的关注。

β-Ga?O?具有约4.9eV的宽禁带宽度，这使其在高温、高功率和高频应用中展现出巨大的潜力。与传统的硅基半导体材料相比，β-Ga?O?能够承受更高的电压和功率密度，同时具有更低的导通电阻，这意味着在相同的功